RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA清洗是一種典型的、普遍使用的濕式化學(xué)清洗法，是去除硅片表面各類玷污的有效方法，所用清洗裝置大多是多槽處理式清洗系統(tǒng)。

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該清洗系統(tǒng)主要包括以下幾種藥液：

（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。

（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。

（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕硅片表面的同時，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。

CSE清洗基本步驟：化學(xué)清洗—漂洗—烘干。

硅片經(jīng)過不同工序加工后，其表面已受到嚴重沾污，一般硅片表面沾污大致可分在三類：

1、有機雜質(zhì)沾污：可通過有機試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來去除。

2、顆粒沾污：運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來去除粒徑≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。

3、金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污。

清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機沾污，因為有機物會遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關(guān)的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷阱”，也會引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬等沾污，同時使硅片表面鈍化。

濕法清洗設(shè)備就是在這些工序的基礎(chǔ)上很好地運用了這些原理，對有機物、金屬顆粒都能有效去除，為后期各芯片的制作打下堅實的基礎(chǔ).

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