陶瓷盤清洗機-CSE設備名稱：陶瓷盤清洗機-華林科納CSE設備外型結構及主要參數 控制模式: 手動控制模式 自動控制模式。 清洗對象：陶瓷盤 設備形式: 室內放置型。 尺寸(參考，詳見圖紙，含地腳)：3000 mm(L)× 1500 mm(W)× 2200 mm(H)。 機臺總體結構暫定分為兩部分，機械運行機構裝置與機臺前方；機臺前方為清洗工作區(qū)域及機械行走區(qū)，機臺后上方為電器和氣路布置區(qū)域，后下方為液路布置區(qū)域。更多半導體設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網www.staroverink.com；現在咨詢400-8768-096，18913575037，可立即免費獲取華林科納CSE提供的設備相關方案
兆聲波清洗機—華林科納CSE Mega sonic cleaning machine華林科納（江蘇）CSE-兆聲波清洗機 適用于硅晶片 藍寶石晶片 砷化鎵晶片 磷化銦晶片 碳化硅晶片 石英晶片可處理晶片尺寸2'-8'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應用領域：半導體 太陽能光伏 液晶等 設備名稱CSE-兆聲波清洗機類型槽式尺寸(參考)約3500（L）×1350 (W)×2300mm (H)清洗件規(guī)格4” 2籃50片設備凈重1T運行重量1.5T±10%電源380v 50hz 功率70kw槽體尺寸200mm*400mm*260mm槽數6個操作方式手動/半自動/全自動適用規(guī)格2英寸-8英寸適用領域半導體、太陽能、液晶等 設備穩(wěn)定性1、清洗良品率≥99%2、≥0.2um顆粒少于10顆 產品簡介1設備機架采用不銹鋼骨架外包PP板，耐酸堿腐蝕；2電氣區(qū)設置在設備后上部，與濕區(qū)和管路區(qū)完全隔離；3槽體材料選用耐相應溶液腐蝕的材料；4機械手探入濕區(qū)部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理；5設備排風采用頂部百級FFU送新風，臺面下抽風，每套工藝清洗槽都有自動開閉的槽蓋，槽蓋下有單獨的抽風裝置，排風口處設有自動調節(jié)風門，即上電打開風門，斷電關閉風門，具有風壓檢測功能，以及氮氣、壓縮空氣壓力報警功能；6溶液槽中藥液自動供液按設定好比例混合，并可在工作過程中根據設定補液；客戶根據自身工藝條件自行設定；7臺面為多孔結構，便于臺面上沖洗水、液的排出；8操作面設有透明PVC安全門；9設備設有漏電、急停、液位、過溫、安全門開、漏液、超時等保護和報警裝置，保證設備的安全可靠；10配備有進口PFA，水、氣槍各一。 更多半導體兆聲清洗...
設備名稱：晶棒腐蝕機---CSE產品描述： ●此設備自動化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動機械傳送裝置,CDS系統(tǒng)，抽風系統(tǒng),電控及操作臺等部分組成; ●進口優(yōu)質透明PVC活動門（對開/推拉式），保證設備外部環(huán)境符合勞動保護的相關標準，以保證設備操作人員及其周圍工作人員的身體健康; ●機械臂定位精度高; ●整體設備腐蝕漂洗能力強,性能穩(wěn)定,安全可靠; ●設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結構合理,適宜生產線上大批次操作. ●非標設備，根據客戶要求具體定制，歡迎詳細咨詢！更多半導體清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.hlcas.com），現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下 3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置（排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計）將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外（室外排放遵守國家環(huán)保要求），避免擴散到室內；?●排風通道內設有風量導流板，從而使排風效果達到最佳；?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個)，排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體；?●排風口處設有手動調節(jié)風門，操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量；3.2設備防護門：?●本體前方安裝有防護隔離門，隔離門采用透明PVC板制成，前門可以輕松開合，在清洗過程中，隔離門關閉，以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水；?●給排水排廢接頭均為活性連接；?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程， ?●人機界面為觸摸屏，接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能，各工作位過程完成提前提示報警，觸摸屏選用優(yōu)質產品；?●觸摸屏加鎖定，以防非授權人員修改或設定參數；?●所有電控部分需獨立封閉，帶抽風系統(tǒng)，獨立的配電柜?●設備照明：設備其它部位--低電壓燈，根據工作需要可控照明；?●設備整體采取人性化設計，方便操作；并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置，保證性能安全可靠；電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線，電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護，可防水耐腐蝕；?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護，免受腐蝕；?●設備具有良好的接地裝置；
RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA清洗是一種典型的、普遍使用的濕式化學清洗法，是去除硅片表面各類玷污的有效方法，所用清洗裝置大多是多槽處理式清洗系統(tǒng)。 該清洗系統(tǒng)主要包括以下幾種藥液：（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕硅片表面的同時，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。CSE清洗基本步驟：化學清洗—漂洗—烘干。硅片經過不同工序加工后，其表面已受到嚴重沾污，一般硅片表面沾污大致可分在三類：1、有機雜質沾污：可通過有機試劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術來去除。...
設備概況：（僅做參考）主要功能：本設備主要手動搬運方式，通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱：KOH Etch刻蝕清洗機 設備型號：CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考)：自動設備約2500mm（L）×1800mm(W)×2400mm(H)；被清洗硅片尺寸： 2--6寸（25片/籃）設備形式:室內放置型;操作形式：手動各槽位主要技術工藝：設備組成：該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向：方案圖按 “左進右出”方式，另可按要求設計“右進左出”方式；設備描述：此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕，與觸摸屏互相配合主體材料：德國進口10mmPP板，優(yōu)質不銹鋼骨架，外包3mmPP板防腐；臺面板為德國10mm PP板；DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材，需滿足18M去離子水水質要求，酸堿管路材質為進口PFA/PVDF；采用國際標準生產加工，焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮：設有EMO(急停裝置)， 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置（CDA Purge）設備三層防漏 樓盤傾斜 漏液報警 設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型，可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備（KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等）以及干燥設備（馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...