2018年下半年，受智能手機出貨量的下滑等因素影響，半導(dǎo)體行業(yè)迎來了下行周期。不過隨著5G建設(shè)和車聯(lián)網(wǎng)市場的發(fā)展，目前半導(dǎo)體市場正在回暖。我國半導(dǎo)體市場已超過萬億規(guī)模，業(yè)已成為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。
為此，為您全面介紹行業(yè)概況、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、上游關(guān)鍵原材料、本行業(yè)競爭格局及材料重點應(yīng)用領(lǐng)域。報告合集涵蓋高純?yōu)R射靶材、CMP材料、半導(dǎo)體硅片、電子氣體、封裝基板、光刻膠、光纖預(yù)制棒、濕電子化學(xué)品、半導(dǎo)體設(shè)備等九大市場
0 1
高純?yōu)R射靶材
2017年全球濺射靶材市場容量達132.5億美元（半導(dǎo)體領(lǐng)域占半導(dǎo)體晶圓制造材料市場3%左右），預(yù)計到2020年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過200億美元。顯示、記錄媒體、太陽能、半導(dǎo)體是顯示靶材四大應(yīng)用市場，面板市場最大，占市場35%，在中國這一比例超過50%。
0 2
CMP材料
CMP化學(xué)機械拋光是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝,用較軟的材料來進行拋光以實現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。CMP拋光材料具有技術(shù)壁壘高，客戶認證時間長的特點。全球芯片拋光液市場主要被在美國、日本、韓國企業(yè)所壟斷，占據(jù)全球90%以上的高端市場份額。
0 3
半導(dǎo)體硅片
硅片也稱硅晶圓，是制造半導(dǎo)體芯片最重要的基本材料。2018-2022年硅片的需求繼續(xù)放大，勝高統(tǒng)計全球晶圓廠給出的總需求指引，其復(fù)合增長率為9.7%（未統(tǒng)計中國新建廠）；SEMI 統(tǒng)計12寸硅片上半年累計漲幅20%，下半年漲價有望繼續(xù)上漲20-30%。
0 4
電子氣體
電子氣體是指用于半導(dǎo)體及相關(guān)電子產(chǎn)品生產(chǎn)的特種氣體，應(yīng)用范圍十分廣泛，在半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用的有110余種單元特種氣體。電子特種氣體從生產(chǎn)到分離提純以及運輸供應(yīng)階段都存在較高的技術(shù)壁壘，市場準(zhǔn)入條件高，全球市場主要被幾家跨國巨頭壟斷，國內(nèi)企業(yè)面臨巨大的競爭壓力。
0 5
封裝基板
封裝基板已經(jīng)成為封裝材料細分領(lǐng)域銷售占比最大的原材料，占封裝材料比重超過50%，全球市場規(guī)模接近百億美金。國內(nèi)封裝基板產(chǎn)業(yè)升級，本土封裝基板需求將迅速提升。2016年國內(nèi)封裝基板市場規(guī)模達80億元，占封裝材料比重接近30%，遠低于全球50%的占比。
0 6
光刻膠
光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基襯底上的有機化合物。全球光刻膠市場規(guī)模從2010 年的55.5億美元增長至2017年的80億美元，復(fù)合增長率約為5.4%。據(jù)預(yù)測，全球光刻膠將在2022年達到100.2 億美元。
0 7
光纖預(yù)制棒
光纖預(yù)制棒是具有特定折射率剖面并用于制造光導(dǎo)纖維的石英玻璃棒，預(yù)制棒一般直徑為幾毫米至幾十毫米，預(yù)制棒的制作是光纖工藝中最重要的部分。光纜是光纖預(yù)制棒的最終成品，隨著通信、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，光纜迎來歷史性的發(fā)展機遇。2010-2017年全球光纖產(chǎn)量和中國光纖產(chǎn)量的復(fù)合增長率分別為14.42%和23.10%，中國光纖產(chǎn)量增速快于全球光纖產(chǎn)量增速。
0 8
濕電子化學(xué)品
濕電子化學(xué)品指為微電子、光電子濕法工藝(主要包括濕法刻蝕、濕法清洗)制程中使用的各種電子化工材料，作為新能源、現(xiàn)代通信、新一代電子信息技術(shù)、新型顯示技術(shù)的關(guān)鍵化學(xué)材料，其全球市場規(guī)模自21世紀初開始快速增長。高端市場主要集中在美、日、歐等少數(shù)大廠商手中，比如在對電子化學(xué)品純度等級要求較高的半導(dǎo)體和平板顯示領(lǐng)域，我國內(nèi)資企業(yè)市場占有率僅達到25%左右。
0 9
半導(dǎo)體設(shè)備
半導(dǎo)體制造屬于重資產(chǎn)行業(yè)，設(shè)備投資占總投資比重高達70-80%，其中IC制造環(huán)節(jié)難度相較后端的封裝測試要高很多，相應(yīng)地，設(shè)備投入相對較大，核心工藝包括光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入，占總設(shè)備投資的一半以上。
免責(zé)聲明：文章來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系作者刪除。