濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過(guò)化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機(jī)腐蝕劑等。
以后為華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)的工程師淺談在半導(dǎo)體濕法腐蝕清洗過(guò)程中遇到的清洗注意事項(xiàng)：
1、硫酸雙氧水去膠
??????? 說(shuō)明：去除光刻膠?
配比：H2SO4：H2O2=3：1
??????? 溫度：140℃?
??????? 流程：1槽5分鐘→溢流5分鐘→2槽5分鐘→沖水10次→甩干
2、DHF去二氧化硅
??????? 說(shuō)明：HF酸漂去二氧化硅 配比：HF：H2O=1：10
??????? 溫度：室溫?
??????? 流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定時(shí)）→溢流5分鐘→沖水10次→甩干
3、氮化硅
??????? 說(shuō)明：推阱及場(chǎng)氧后LPSIN的剝離
??????? 配比：98%磷酸
??????? 溫度：160℃
??????? 流程：HF酸漂洗30sec→溢流5分鐘→磷酸槽60min→溢流5分鐘→沖水10次→甩干?
4、BOE腐蝕二氧化硅
??????? 說(shuō)明：非關(guān)鍵尺寸二氧化硅圖形窗口的腐蝕
??????? 配比：BOE
??????? 溫度：室溫?
??????? 流程：BOE漂（依須腐蝕二氧化硅厚度定時(shí)）→溢流5分鐘→沖水10次→甩干
??????? 注意：由于圓片上帶有光刻膠，腐蝕前須熱堅(jiān)膜，條件是120℃30min，若腐蝕時(shí)間超過(guò)3min，腐蝕前熱堅(jiān)膜120℃30min+150℃15min，每腐蝕1min30sec加烘120℃30min。
5、EKC清洗
說(shuō)明：金屬腐蝕及通孔腐蝕干法去膠后的清洗，去除因干法腐蝕而殘留在圖形邊緣的聚合物?
配比：EKC265/IPA
??????? 溫度：EKC265 65℃????? IPA??? 室溫?
??????? 流程：EKC槽30min→IPA3min→→沖水10次→甩干
更多的相關(guān)半導(dǎo)體濕法腐蝕清洗設(shè)備資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（http://www.staroverink.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。?
?
?