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—華林科納 網(wǎng)絡(luò)部
離子注入出現(xiàn):隨著集成電路集成度的提高,對期間源漏結(jié)深的要求,切傳統(tǒng)的擴散已無法景尊控制雜質(zhì)的分布形式以及濃度了。
離子束射到固體材料以后,離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用,入射離子逐漸損失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化,這一現(xiàn)象就叫做離子注入。
離子束的用途:摻雜、曝光、刻蝕、鍍膜、退火、凈化等,不同的用途需要不同的離子量。
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離子注入系統(tǒng):

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離子注入的特點:
(1) 可以獨立控制雜質(zhì)分布和雜質(zhì)濃度
(2) 各向異性摻雜
(3) 容易獲得高濃度摻雜
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離子注入與擴散的比較

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離子注入的優(yōu)缺點:
(1) 優(yōu)點:可控性好,注入溫度低,工藝靈活,可以獲得任意的摻雜濃度分布,結(jié)面比較平坦,均勻性和重復(fù)性好,擴大了雜質(zhì)的選擇范圍。
(2) 缺點:離子注入將在靶中產(chǎn)生大量晶格缺陷,難以獲得很深的結(jié)深,離子注入的生產(chǎn)效率比擴散低系統(tǒng)復(fù)雜安昂貴。
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