一、主要生產(chǎn)設(shè)備
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二、工藝流程簡(jiǎn)述
GaN基倒裝LED芯片制造流程包括清洗、光刻、刻蝕、PECVD、蒸鍍、退火、SiO2沉積、減薄研磨、劃裂、測(cè)試、分選和表面檢驗(yàn)等。生產(chǎn)流程如圖2.2-1所示。
(1)清洗：清洗工作是在不破壞外延片表面特性的前提下，有效的使用化學(xué)溶液清除外延片表面的各種殘留污染物。將外延片先經(jīng)過(guò)酸洗（硝酸）、超純水洗。酸洗槽20L,每批可酸洗4英寸外延片24片，通常酸洗56批次（即2天）更換一次酸洗液：以下各類(lèi)無(wú)機(jī)和有機(jī)清洗槽尺寸和更換頻率同硝酸清洗槽。
沖洗槽用純水沖洗，將其表面粘附的酸洗液沖洗干凈。本項(xiàng)目沖洗槽清洗方式為使用大量高純水對(duì)外延片進(jìn)行沖洗清潔，沖洗次數(shù)為8遍，常溫。
清洗干凈后再次經(jīng)過(guò)酸洗（硫酸和雙氧水混合液）、超純水洗等。清洗干凈后甩干并烘干后進(jìn)入下一道工序。
產(chǎn)污環(huán)節(jié)：無(wú)機(jī)清洗工序有G:氮氧化物、G2硫酸霧揮發(fā)，酸洗槽約兩天更換一次，產(chǎn)生S1廢硝酸和S2廢硫酸。水洗工序產(chǎn)生酸性廢水。
(2)N區(qū)光刻：N區(qū)光刻及刻蝕主要是在外延片上制作出N電極圖形。光刻是通過(guò)光刻膠的感光性能，外延片表面涂膠后，在紫外光的照射下將光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移至外延片上，最終加工成所需要的產(chǎn)品圖形。包括涂膠、軟烤、曝光、顯影。
1)涂膠、軟烤：涂敷光刻膠之前，將洗凈的外延片表面涂上附著性增強(qiáng)劑，可增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)間可自由設(shè)定的勻膠機(jī)來(lái)進(jìn)行的。首先，用真空吸引法將外延片吸在勻膠機(jī)的吸盤(pán)上，將具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時(shí)間勻膠。由于離心力的作用，光刻膠在外延片表面均勻地展開(kāi)，多余的光刻膠被甩掉并回收使用，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和勻膠的轉(zhuǎn)速來(lái)控制。光刻膠主要是由對(duì)光與能量非常敏感的高分子聚合物組成，光刻膠直接使用外購(gòu)成品，無(wú)需調(diào)膠。
為了使光刻膠附著在外延片表而，涂膠后要進(jìn)行軟烤，在80℃左右的烘箱中、惰性氣體環(huán)境下烘烤15~30分鐘，去除光刻膠中的溶劑。光刻膠中的有機(jī)溶劑揮發(fā)成有機(jī)廢氣經(jīng)有機(jī)廢氣收集系統(tǒng)收集處理，而光刻膠中的高分子聚合物作為涂層牢固地附著在基質(zhì)的表面。
2)曝光：在掩模版的遮蔽下，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。
3)顯影：將曝光后的外延片放到顯影機(jī)里，片子在機(jī)臺(tái)內(nèi)高速旋轉(zhuǎn)，同時(shí)片子上方滴落有顯影液，使正光刻膠的曝光部分被溶解。顯影在常溫下進(jìn)行。
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