半導(dǎo)體工藝-----光刻刻蝕
一、光刻膠的選擇
光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
二、光刻工藝步驟
1.清洗硅片
通過(guò)化學(xué)清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、雜質(zhì)顆粒，減少針孔和其他缺陷從而提供光刻膠粘附性
2.預(yù)烘和底膜涂覆
使用HMDS作為底膠，可以去除SiO2表面的-OH基，在100℃下脫水烘焙去除圓片表面的潮氣
3.光刻膠涂覆
硅圓片放置在高速旋轉(zhuǎn)的真空卡盤(pán)上，將液態(tài)光刻膠滴在圓片中心，光刻膠以離心力向外擴(kuò)展從而均勻涂覆在圓片表面。
4.前烘
促進(jìn)膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā)，使得膠膜干燥，增加與其SiO2的粘附性以及耐磨性。烘焙時(shí)間不宜過(guò)長(zhǎng)，溫度不宜過(guò)高。
5.對(duì)準(zhǔn)
為了成功在硅片上形成圖形，必須把硅片上的正確圖形與掩膜版上的圖形對(duì)準(zhǔn)，套準(zhǔn)精度是測(cè)量對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)把版圖套刻到硅片上圖形的能力。
6.?曝光
7.后烘
光刻膠分子發(fā)生熱運(yùn)動(dòng)，過(guò)曝光和欠曝光的光刻膠分子發(fā)生重分布，通過(guò)后烘可以平衡駐波效應(yīng)（入射光與反射光干涉現(xiàn)象），提供分辨率
8.顯影
通過(guò)顯影、漂洗、干燥達(dá)到顯影液溶解掉光刻膠中軟化的部分的目的
9.堅(jiān)膜
溫度通常要高于前烘溫度100-130℃，時(shí)間2分鐘。
蒸發(fā)光刻膠中所有有機(jī)溶劑、提高刻蝕和注入的抵抗力、提高光刻膠和表面的粘附性、聚合和使得光刻膠更加穩(wěn)定、光刻膠流動(dòng)填充針孔
10.圖形檢測(cè)
通過(guò)SEM、OM檢測(cè)，若出現(xiàn)問(wèn)題
如;未對(duì)準(zhǔn)、掩膜旋轉(zhuǎn)、晶圓旋轉(zhuǎn)、X/Y方向錯(cuò)位、臨界尺寸、表面不規(guī)則（劃痕、針孔、瑕疵和污染物）需要?jiǎng)內(nèi)ス饪棠z重新開(kāi)始
三、濕法刻蝕
1.利用化學(xué)溶液溶解硅表面的材料，副產(chǎn)物是氣體、液體或可溶于刻蝕溶液的固體
2.工藝簡(jiǎn)單，腐蝕選擇性好，鉆蝕嚴(yán)重，精度差，3um以上
3.一般用于刻蝕SiO2/Si/Poly-Si/Si3N4/Al2O3/TiO2
四、干法刻蝕
1.各向異性腐蝕強(qiáng)，分辨率高，可刻蝕3um以下線條
2.濺射刻蝕：形成能量很高的等離子體，轟擊被刻蝕的材料，使其被撞原子飛濺出來(lái)，形成刻蝕
3.等離子體（ Plasma）刻蝕：產(chǎn)生等離子體，刻蝕氣體經(jīng)輝光放電后成為具有很強(qiáng)化學(xué)活性的離子及游離基---等離子體，等離子體活性基團(tuán)與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
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4.?反應(yīng)離子刻蝕（RIE）：同時(shí)利用等離子體刻蝕和濺射刻蝕機(jī)制，活性離子加離子轟擊
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