一、用料銅編織線1050mm1根，950mm1根；銅接線端子200A2個(gè)；助焊劑，焊條；二、工具專用焊錫鍋1只；專用鉗子1把；專用卡具1對(duì)；螺絲刀，錐子，銼刀等三、制作方法將銅編織線一端夾在專用卡具里，盡量讓銅編織線與夾具持平，或稍高出夾具一些。然后將螺絲穿過卡具蓋板，再穿過銅編織線，擰緊螺絲，讓銅編織線在夾具里厚度一致。另一端用銅接線端子將銅編織線包住，然后用專用鉗子將接線端子夾緊，將銅編織線固定在銅端子里后用手錘將銅端子砸平即可。四、焊錫加溫將焊錫條放入焊錫鍋，通電加熱，當(dāng)焊錫條溶化后，再加熱20-30分鐘，表面起氧化反應(yīng)即可。用一鐵片將表面的氧化層刮掉，這時(shí)將銅編織線兩端分別浸泡在助焊劑中2-3秒，取出后垂直放入錫鍋內(nèi)，放入深度與專用夾具平行即可。另一端與接線端子全部進(jìn)入錫鍋中為止，放置2-4秒后即可。五、電極頭制作待銅編織線冷卻后，將多余的焊錫及銅線去掉，將專用夾具去掉后將這部分進(jìn)行加工處理，如圖所示：料厚=4mm 六、 將制作好的電極套上18的臘管，用絕緣膠布將兩端的臘管頭部與端子根部包住，另一端與加工部位的根部包住，即完成。免責(zé)聲明：文章來源于網(wǎng)絡(luò)，不代表本公司觀點(diǎn)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
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藍(lán)寶石晶體結(jié)構(gòu)圖: 藍(lán)寶石切面圖晶體結(jié)構(gòu)上視圖藍(lán)寶石（Al2O3)特性: 藍(lán)寶石晶體生長過程: 藍(lán)寶石基片的原材料是晶棒,晶棒由藍(lán)寶石晶體加工而成。晶體生長方法: 晶體生長方法: 泡生法示意圖 水平傳動(dòng)法示意圖 提拉法示意圖 熱交換法示意圖 熔焰法示意圖 導(dǎo)模法示意圖 導(dǎo)向溫梯法示意圖 微提拉旋轉(zhuǎn)泡生法示意圖1-冷凝水桿;2-加熱器;3-籽晶夾;4-熱交換器頂部；5-坩鍋;6-晶體;7-固/液界面;8-熔體;9-支撐桿;10-熱屏蔽系統(tǒng)藍(lán)寶石晶棒加工制作工藝流程: 藍(lán)寶石晶片加工制作工藝流程: 藍(lán)寶石晶棒加工制作工藝流程圖片: 免責(zé)聲明：文章來源于網(wǎng)絡(luò)，不代表本公司觀點(diǎn)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
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晶圓劃片機(jī) 晶圓劃片機(jī)，包括機(jī)體、導(dǎo)軌、支撐座、晶圓片、滑軌、主軸、劃刀，導(dǎo)軌安裝在機(jī)體內(nèi)，支撐座安裝在導(dǎo)軌上，晶圓片安裝在支撐座上，滑軌安裝在機(jī)體的內(nèi)部，主軸安裝在滑軌的底部，劃刀安裝在主軸的端部，所述支撐座上安裝有磁環(huán)，所述支撐座內(nèi)安裝有位于磁環(huán)內(nèi)圈處的卡套，所述卡套的內(nèi)部填充有膠板，所述膠板的頂部與晶圓片的底部粘接，所述主軸的外圈處固定連接有磁桿，所述磁桿的端部固定連接有第一磁圈。支撐座的頂部安裝有支撐桿，支撐桿的外部滑動(dòng)套裝有滑動(dòng)套，滑動(dòng)套的外側(cè)螺紋連接有螺栓，螺栓的端部貫穿并延伸至滑動(dòng)套的內(nèi)部，滑動(dòng)套的側(cè)面固定連接有支撐塊，支撐塊的端部固定連接有定位環(huán)。定位環(huán)的內(nèi)部填充有粘接環(huán)，定位環(huán)的直徑大于晶圓片的直徑，粘接環(huán)與晶圓片為軸向滑動(dòng)連接。第一磁圈的外圈處固定連接有磁棒，所述磁棒的端部固定連接有第二磁圈，所述磁桿、第一磁圈、磁棒、第二磁圈的磁極均為相同磁極，所述磁桿、第一磁圈、磁棒、第二磁圈與磁環(huán)為同極相斥狀態(tài)。膠板的材質(zhì)為工業(yè)級(jí)橡皮泥材質(zhì)，所述粘接環(huán)的材質(zhì)為粘性橡膠圈，所述粘接環(huán)上開設(shè)有若干個(gè)通孔，所述粘接環(huán)上通孔的形狀與晶圓片的形狀相適配。1、該晶圓劃片機(jī)，通過卡套與膠板之間的配合使用，使得晶圓在切割過程中，底部受到重力與磁力相斥的力度直接陷進(jìn)膠板的內(nèi)部，通過膠板的柔性設(shè)計(jì)，使得晶圓在切割時(shí)，底部直接被膠板包裹，同時(shí)通過膠板將晶圓固定在支撐座上，無需另外采用固...
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化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備及其操作方法 圖1 圖2A 圖2B 圖3 圖4 圖5A 圖5B 圖6圖1是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的CMP設(shè)備的示意圖。圖2A是根據(jù)一些實(shí)施例的圖1中的CMP設(shè)備的墊調(diào)節(jié)器的示意仰視圖。圖2B是根據(jù)一些實(shí)施例的圖1中的CMP設(shè)備的墊調(diào)節(jié)器的示意橫截面圖。圖3是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的CMP設(shè)備的示意圖。圖4是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的CMP設(shè)備的示意圖。圖5A及5B是根據(jù)一些實(shí)施例的圖4中的CMP設(shè)備的墊調(diào)節(jié)器的示意仰視圖。圖6是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的操作CMP設(shè)備的方法的示意流程圖。圖1是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的CMP設(shè)備100的示意圖。如圖1中所展示，CMP設(shè)備100包含壓板102、晶片載體104及墊調(diào)節(jié)器110。拋光墊105安置于壓板102上且包含面向晶片載體104及墊調(diào)節(jié)器110的拋光表面105A。在一些實(shí)施例中，壓板102可由基座101支撐且可使拋光墊105圍繞第一軸線103旋轉(zhuǎn)。晶片載體104包含軸件106及耦合到軸件106的平板107。軸件106經(jīng)配置以圍繞第二軸線113旋轉(zhuǎn)。平板107經(jīng)配置以固持工件108，例如半導(dǎo)體晶片。在一些實(shí)施例中，晶片載體104經(jīng)配置以向上或向下移動(dòng)晶片108，使得晶片108可與拋光表面105A接合。在一些實(shí)施例中，平板107可通過...
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晶圓減薄機(jī)的研發(fā)及應(yīng)用 １硅片自旋轉(zhuǎn)磨削法的特點(diǎn)：（１） 可實(shí)現(xiàn)延性域磨削。在加工脆性材料時(shí)，當(dāng)磨削深度小于某一臨界值時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)延性域磨削。通過大量試驗(yàn)表明，Ｓｉ材料的脆性一塑性轉(zhuǎn)換臨界值約為０．０６ｍ。進(jìn)給速度廠控制在１０ｍ／ｍｉｎ，承片臺(tái)轉(zhuǎn)速取２００ｒ／ｍｉｎ，則每轉(zhuǎn)切割深度可達(dá)到０．０５ｍ。對(duì)于自旋轉(zhuǎn)磨削，由公式（１）可知，對(duì)給定的軸向進(jìn)給速度，如果工作臺(tái)的轉(zhuǎn)速足夠高，就可以實(shí)現(xiàn)極微小磨削深度。（２）可實(shí)現(xiàn)高效磨削。由公式（１）可知，通過同時(shí)提高硅片轉(zhuǎn)速和砂輪軸向進(jìn)給速度，可以在保持與普通磨削同樣的磨削深度情況下，達(dá)到較高的材料去除率，適用于大余量磨削。（３）砂輪與硅片的接觸長度、接觸面積、切入角不變，磨削力恒定，加工狀態(tài)穩(wěn)定，可以避免硅片出現(xiàn)中凸和塌邊現(xiàn)象。由ｒ上述優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在直徑２００ｍｍ以上的大尺寸硅片背面磨削（ｂａｃｋｇｒｉｎｄｉｎｇ）大都采用基于硅片白旋轉(zhuǎn)磨削原理的超精密磨削技術(shù)。２硅片背面磨削的工藝過程：硅片背面磨削一般分為兩步：粗磨和精磨。在粗磨階段，采用粒度４６?！担埃埃５慕饎偸拜?，軸向進(jìn)給速度為１００～５００ｍｍ／ｍｉｎ，磨削深度較大，般為０．５～ｌ１ＴＩＩ＇ｆｌ。目的是迅速去除硅片背面絕大部分的多余材料（加工余量的９０％）。精磨時(shí)，加工余量幾微米直至十幾微米，采用粒度２０００?！矗埃埃埃５慕饎偸拜?，軸向進(jìn)給速度為０．５～１０ｍｍ...
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硅拋光片全自動(dòng)濕法清洗設(shè)備的研制硅拋光片濕法清洗原理1.1APM(SC-1)：NH4OH/H202/HzOSC-1是堿性溶液，能去除顆粒和部分金屬雜質(zhì)。由于h2o2氧化作用在硅片表面生成氧化膜，該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行，因此附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。si〇2的腐蝕速度隨NH4OH的濃度升高而加快。Si的腐蝕速度隨NH4OH的濃度升高而快。當(dāng)清洗洗液溫度升高，顆粒去除率也提高，在一定溫度下可達(dá)最大值，一般工藝溫度為60?75°C。SC-1溶液濃度一般控制在稀濃度范圍內(nèi)，這樣不但可以有效去除顆粒，而且可以防止表面微粗糙度增加。通常，在SC-1的基礎(chǔ)上增加兆聲系統(tǒng)，由于兆聲微水流的加速度作用，可以增加顆粒去除效果，能夠去除小于0.2um顆粒。1.2HPM(SC-2)：HCI/H202/H20由于硅表面的氧化和腐蝕作用，硅片表面的金屬雜質(zhì)，將隨腐蝕層而進(jìn)入清洗液中，并隨去離子水的沖洗而被排除。SC-2用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下能去除鐵和鋅。一般工藝溫度為65~85。。。1.3HF/HCI稀的HF/HC1溶液可以去除硅片表面的自然氧化膜，同時(shí)去除表面的金屬沾污。一般工藝溫度為室溫。設(shè)備的組成及配置2.1設(shè)備的組成設(shè)備結(jié)構(gòu)外形如圖1所示，硅拋光片全自動(dòng)濕法清洗設(shè)備采用全封閉、模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。整機(jī)按功...
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高真空化學(xué)氣相外延爐的研制1.1 材料生長工藝簡介Ge的晶格常數(shù)TGe=5.657A,Si的晶格常數(shù)TSi=5.431A。Si1-xGex體合金的晶格常數(shù)和Si1-xGex合金與Si之間格失配率可用下式表示TSi1-xGex=TSi-(TSi-TGe)x(1)fm(x)=(TSi1-xGex-TSi)/TSi=0.24x(2)Si1-xGex是一種典型的晶格失配異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng),x值越大則晶格失配率越大。當(dāng)x=1時(shí),即Si和Ge之間的晶格失配率為4.2%。這一特點(diǎn)使Si1-xGex/Si結(jié)構(gòu)的生長有別于晶格匹配材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)的情況,其中必需考慮“臨界厚度”以及控制和充分利用由于應(yīng)力引起能帶變化而出現(xiàn)的新的電學(xué)與光學(xué)特性。由于工藝方面的原因,70年代以前,無論在硅單晶襯底上或在鍺單晶襯底上,均未能生長出高質(zhì)量的Si1-xGex異質(zhì)結(jié)外延層,多半會(huì)發(fā)生三維島狀生長并出現(xiàn)大量的穿透位錯(cuò),堆垛層錯(cuò)和裂文[6]。由于近年來外延工藝技術(shù)的發(fā)展,80年代中期人們開始應(yīng)用低溫高真空化學(xué)氣相外延技術(shù)生長硅外延片[7]。90年代中期用同樣的方法已研制出合格的Si1-xGex外延片[8]。應(yīng)用低溫高真空化學(xué)氣相外延技術(shù)來生長鍺硅薄層,解決了高溫生長外延材料的許多缺點(diǎn),保證原子級(jí)的清潔的生長表面,防止引入不希望的缺陷,實(shí)現(xiàn)二維共度生長,防止應(yīng)變弛豫和三維島狀生長以提高晶格完整性,實(shí)現(xiàn)原位摻雜,防止界面互擴(kuò)散以獲...
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![高速電鍍?cè)O(shè)備及工藝流程]( "高速電鍍?cè)O(shè)備及工藝流程")
高速電鍍?cè)O(shè)備及工藝流程１上料系統(tǒng)這臺(tái)設(shè)備的上料系統(tǒng)采用了半自動(dòng)上料方式，首先把產(chǎn)品平放到上料臺(tái)，由臺(tái)上的推針把其送入上料夾，夾住產(chǎn)品后翻轉(zhuǎn)至與不銹鋼傳送帶同一平面，后與不銹鋼傳送帶一起運(yùn)動(dòng)，當(dāng)上料夾速度與不銹鋼傳送帶速度一致時(shí)，把產(chǎn)品送人不銹鋼傳送帶，翻轉(zhuǎn)至初始位置，完成一次上料過程。２工藝工位每個(gè)工位都有一個(gè)儲(chǔ)液罐，經(jīng)抽液泵把液體打到工藝槽，形成環(huán)狀循環(huán)（工藝槽在儲(chǔ)液罐上面，有一定的距離）。這樣的設(shè)計(jì)不但加快了藥水濃度的補(bǔ)充，也把工作液中產(chǎn)生的氣體及時(shí)排走，避免氣泡停留在框架表面。從而提高電鍍產(chǎn)品質(zhì)量，保證鍍品成品率。２.１工藝檀有液位傳感器，在槽內(nèi)有幾段工位具備產(chǎn)品跟蹤系統(tǒng)，有了這套跟蹤系統(tǒng)能檢測哪段工位有無產(chǎn)品掉落。主要工作原理為：產(chǎn)品進(jìn)入第一個(gè)工藝槽時(shí)，該處的記數(shù)器開始工作，并記錄下產(chǎn)品數(shù)量；若下一記數(shù)器的數(shù)據(jù)與上一記數(shù)器記錄的數(shù)據(jù)不相同，會(huì)立到報(bào)警（由電腦上讀取）。跟蹤系統(tǒng)的存在減少了廢品率，提高了成品率，還節(jié)約了材料和降低成本。２.２儲(chǔ)液罐電鍍?cè)O(shè)備每個(gè)工藝槽都配一個(gè)儲(chǔ)液槽，除裝藥水外，還保證工藝槽內(nèi)藥水液面，保證鍍品質(zhì)量；若液位不夠，工藝槽內(nèi)會(huì)出現(xiàn)時(shí)有溶液上來，時(shí)而無液體，你想，這樣的工作液面能生產(chǎn)產(chǎn)品嗎，要讓儲(chǔ)液罐為工藝槽提供穩(wěn)定的液拉，就必須由儲(chǔ)液槽內(nèi)的高低位傳感器進(jìn)行控制。若液位低于低位傳感器，會(huì)報(bào)警，此時(shí)必須添加溶液至規(guī)定刻度；若液位高于高位傳感器，也會(huì)報(bào)警，此...
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雙真空室結(jié)構(gòu)磁控濺射臺(tái)的研制１設(shè)計(jì)原理：本文設(shè)計(jì)的磁控濺射臺(tái)使用陰極濺射的方法淀積薄膜，將電壓的負(fù)極應(yīng)用于靶材，正極接于基架地，基片裝在基片架上，從而在靶材和基片之間形成一個(gè)負(fù)的電場。在電場中通人工藝氣體，在一定的真空條件下，工藝氣體原子就會(huì)電離出帶正電荷的離子和帶負(fù)電荷的電子，如果工藝氣體是氬氣，則有：Ａｒ→Ａｒ+＋ｅ-。電場的存在使氬離子加速向陰極移動(dòng)，自由電子則移向正極。這個(gè)過程中，加速電子跟更多的氬原子發(fā)生碰撞，電子的動(dòng)能使得受到碰撞的氬原子發(fā)生電離。上述過程持續(xù)重復(fù)，就能產(chǎn)生巨大數(shù)量的氬離子和電子，在靶材和基片之間形成等離子區(qū)。等離子區(qū)中大量帶正電的氬離子飛向靶材，因氬離子具有較大的質(zhì)量，能量較大，碰撞靶材后引起靶材原子逸出并沉積在基片上。圖１顯示了本設(shè)備的濺射成膜原理。 如果在陰極靶材背面合理地安裝一塊永久磁鐵。磁鐵的磁場強(qiáng)迫自由電子作額外的螺旋運(yùn)動(dòng)，就可以延長電子的移動(dòng)路徑，產(chǎn)生更高等級(jí)的分裂，并使得等離子區(qū)具有更好的同質(zhì)性，能夠更好的利用靶材，減少由濺射粒子引起的靶材再沉積的數(shù)量，避免弧光放電現(xiàn)象。如果陰極是由非導(dǎo)體材料組成，則轟擊靶材的工藝氣體離子就不能被傳導(dǎo)電子中和，濺射過程就會(huì)熄火，所以絕緣靶材或電介質(zhì)靶材不能使用直流源濺射，而需要采用射頻濺射。射頻濺射使用射頻電源（典型１３．６５ＭＨｚ）來點(diǎn)燃等離子區(qū)。在射頻濺射的情況下，靶材交替地被帶...
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![步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)]( "步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)")
步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)分系統(tǒng)集成工藝方案設(shè)計(jì)：分系統(tǒng)集成工藝方案設(shè)計(jì)包含布局與接口分析、集成與檢測方案規(guī)劃、集成工具工裝需求規(guī)劃、集成步驟規(guī)劃等。布局與接口分析：主要是分析分系統(tǒng)在整機(jī)中的布局、接口的形式、定位方式等；集成與檢測方案規(guī)劃：主要是分析集成指標(biāo)，結(jié)合布局與接口形式規(guī)劃集成方案及檢測方法，如指標(biāo)無法直接實(shí)現(xiàn)，還需要進(jìn)行裝配尺寸鏈分解；集成工具工裝需求規(guī)劃：根據(jù)集成和檢測方案，選擇適用的工具/檢具，如需要設(shè)計(jì)專用工裝輔助集成或檢測的，則需給出工裝設(shè)計(jì)方案及其指標(biāo)需求；集成步驟規(guī)劃：制定分系統(tǒng)集成到整機(jī)上的集成步驟。步進(jìn)掃描光刻機(jī)集成工藝方案非常復(fù)雜，下文將通過幾個(gè)分系統(tǒng)案例，闡述集成工藝方案的設(shè)計(jì)過程。調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)安裝在主基板下方，物鏡安裝在主基板上方，結(jié)構(gòu)布局如圖1所示。根據(jù)整機(jī)測校流程，調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)在物鏡曝光過程中實(shí)時(shí)調(diào)平調(diào)焦，因此，要求調(diào)焦調(diào)平焦面與像面的垂向集成誤差不能超過調(diào)焦調(diào)平的焦深范圍。步進(jìn)掃描光刻機(jī)所選用的調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)焦深范圍非常小，是微米級(jí)別的。由此，調(diào)焦調(diào)平集成方案規(guī)劃需解決以下幾方面的問題：1、調(diào)焦調(diào)平焦面和像面都是光學(xué)面，相互為基準(zhǔn)集成，集成階段如何去確定這兩個(gè)光學(xué)面的位置； 圖1調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)機(jī)構(gòu)布局2、指標(biāo)是微米級(jí)別的，常規(guī)的測量方法達(dá)不到這個(gè)級(jí)別的測量精度，該選用什么樣的測量儀器；3、在線集成空間小，選...
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